Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
Проведены измерения дифференциального сопротивления DV/DI(V) микроконтактов на основе соединения с тяжелыми фермионами (СТФ) URu₂Si₂ в области температур 1,5-20 К вдоль двух главных кристаллографических направлений.
Проведено вимірювання диференційного опору DV/DI(V) мікроконтактів на основі сполучення з важкими ферміонами (СВФ) URu₂Si₂ в температурному інтервалі 1,5-20 К увздовж двох головних кристалографічних напрямків.
The differential resistance dV/dl(V) of the microcontacts made of a system with heavy fermions (HFS) URu₂Si₂ has been measured in temperature range 1,5-20 K along two principal crystailographic directions.
Проведено вимірювання диференційного опору DV/DI(V) мікроконтактів на основі сполучення з важкими ферміонами (СВФ) URu₂Si₂ в температурному інтервалі 1,5-20 К увздовж двох головних кристалографічних напрямків.
The differential resistance dV/dl(V) of the microcontacts made of a system with heavy fermions (HFS) URu₂Si₂ has been measured in temperature range 1,5-20 K along two principal crystailographic directions.
Опис
Теми
Цитування
Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии / Ю.Г. Найдюк, О.Е. Квитницкая, А. Новак, И.К. Янсон, А.А. Меновский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 3. — С. 310-315. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.