О природе линейной зависимости кондактанса от напряжения в туннельных контактах высокотемпературных сверхпроводников выше критической температуры
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
Показано, что характерная для туннельных контактов высокотемпературных сверхпроводников линей
ная зависимость кцндактанса от напряжения может быть обусловлена неупругим рассеянием электронов в
процессе туннелирования не только на флуктуациях спиновой плотности (парамагнонах) в системе спинов с
антиферромагнитными корреляциями, но и на низкочастотных флуктуациях зарядовой плотности (акусти
ческих плазмонах) в системе почти локализованных «тяжелых» носителей заряда в аномально узкой зоне с
высЬкой плотностью состояний вблизи уровня Ферми либо на фононах с очень низкой дебаевской частотой
акустической части спектра и широким оптическим спектром.
Показано, вдо типова для тунельних контактів високотемпературних надпровідників лінійна залежність кондактанса від напруги може бути обумовлена непружнім розсіюванням електронів у процесі тунелювання не тільки на флуктуаціях спінової густини (парамагнонах) в системі спінів з антіферомагнітними коре ляціями, але й на низькочастотних флуктуаціях зарядової густини (акустичних плазмонах) в системі майже локалізованих «важких» носіїв заряду в аномально вузькій зоні з високою густиною станів поблизу рівня Фермі або на фононах з дуже низькою дебаївською частотою акустичної частини спектра та широким оптич ним спектром.
It is shown that the typical linear dependence of the conductance on voltage for the tunneling contact of the high Tc superconductors can result from the non-elastic scattering of electrons not only by spin density fluctua tions (paramagnons) in the system of the antiferromag- netically correlated spins, but also by low-frequency charge density fluctuations (acoustic plasmons) in the system of nearly lokalized heavy charge carriers in the anomalously narrow band having the high density of states near the Fermi level, or by the phonons having a very low Debay frequency of the acoustic part in the phonon spectrum and a broad optical spectrum due to the high frequency oscillations of the light oxygen atoms.
Показано, вдо типова для тунельних контактів високотемпературних надпровідників лінійна залежність кондактанса від напруги може бути обумовлена непружнім розсіюванням електронів у процесі тунелювання не тільки на флуктуаціях спінової густини (парамагнонах) в системі спінів з антіферомагнітними коре ляціями, але й на низькочастотних флуктуаціях зарядової густини (акустичних плазмонах) в системі майже локалізованих «важких» носіїв заряду в аномально вузькій зоні з високою густиною станів поблизу рівня Фермі або на фононах з дуже низькою дебаївською частотою акустичної частини спектра та широким оптич ним спектром.
It is shown that the typical linear dependence of the conductance on voltage for the tunneling contact of the high Tc superconductors can result from the non-elastic scattering of electrons not only by spin density fluctua tions (paramagnons) in the system of the antiferromag- netically correlated spins, but also by low-frequency charge density fluctuations (acoustic plasmons) in the system of nearly lokalized heavy charge carriers in the anomalously narrow band having the high density of states near the Fermi level, or by the phonons having a very low Debay frequency of the acoustic part in the phonon spectrum and a broad optical spectrum due to the high frequency oscillations of the light oxygen atoms.
Опис
Теми
Цитування
О природе линейной зависимости кондактанса от напряжения в туннельных контактах высокотемпературных сверхпроводников выше критической температуры / Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 518-522. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.