О влиянии слабой неоднородности туннельного барьера на локализованные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в контакте S/I/S

Abstract

Построена теория влияния случайных структурных неоднородностей туннельного барьера на локализо­ ванные состояния, индуцированные сверхпроводящим током в джозефсоновских контактах. В предположе­ нии малости флуктуаций потенциала барьера получена общая формула для квазидискретного уровня. Пока­ зано, что понижение энергии локализованного состояния и его затухание обусловлены конечной величиной вероятности туннелирования с несохранением компоненты импульса, параллельной барьеру.Побудовано теорію впливу випадкових структурних неоднорідностей тунельного бар’ єра на локалізовані стани, індуковані надпровідним струмом у джозефсонівських контактах. У припущенні малості флуктуацій потенціалу бар’єра одержано загальну формулу для квазідискретного рівня. Показано, що зниження енергіТ локалізованого стану та його згасання обумовлені кінцевим значенням ймовірності тунелювання з незбере- женням компоненти імпульсу, паралельної бар’єру.W e construct a theory of the influence of random structural inhomogeneities of the tunnel barrier on the localized states induced by supercurrent in Josephson junctions. In the limit of small fluctuations of the barrier potential, we derive a general formula for the energy of a quasi-discrete level. We show that shift and damping of the localized state occur owing to tunneling with the non-conservation of the momentum component parallel to the barrier.