Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He

Abstract

Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.Виміряно кінетичний коефіцієнт росту атомно-шершавої поверхні кристала гелію з розчину з домішкою ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В інтервалі температур 1,2-1,4 К домішка не впливала на кінетику росту. Порівняння результатів експерименту з теорією дозволяє зробити висновок про відсутність додаткового внеску в кінетику росту за рахунок дифузії домішки.The kinetic growth coefficient is measured for an atomically rough surface of a helium crystal grown from a solution with a low ³Не impurity concentration (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). The impurity does not affect the growth rate of the surface in the temperature range from 1.2 to 1.4 K. A comparison of the experimental results with the theory leads to the conclusion that the additional contribution of impurity diffusion to the growth kinetics is equal to zero.