Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x

Abstract

Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же условий эксперимента свидетельствует об анизотропии эволюции вакансионных кластеров: в плоскостях Сu–О преобладает коалесценция кластеров, однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и коалесценция существующих.Досліджено релаксацію високотемпературного опору, ρ(300 К, t), монокристалу НоBa₂Cu₃O₇–x після різкої зміни гідростатичного тиску. Зіставлення отриманого закону релаксації електроопору та релаксації критичної температури надпровідного переходу Тс для тих же умов експерименту свідчить про анізотропію коалесценції вакансійних кластерів: в площинах Сu–О переважає коалесценція вакансійних кластерів, проте в об'ємі зразка відбувається як зародження нових кластерів, так і коалесценція існуючих.The relaxation of high-temperature resistance, ρ(300 K, t), of НоBa₂Cu₃O₇–x single crystals after a sharp change in hydrostatic pressure was studied. A comparison of electrical resistance relaxation with Тс relaxation (Тс is critical temperature superconducting transition) indicates the anisotropy of relaxation of vacancy clusters: the coalescence of clusters prevails in the Cu–O planes, however, in the sample volume, both the nucleation of new clusters and the coalescence of existing ones occur.