Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Анотація
Утверждается, что электрон может оказаться в состоянии, локализованном на межкристаллитной, двойниковой границе, дефекте упаковки, независимо от конкретной структуры переходной области. Существенна лишь непериодичность "в целом" кристалла, содержащего такую границу. Рассмотрена одномерная модель (две состыкованных решетки Кронига-Пенни), для которой определен спектр локализованных состояний. В спектре сложным образом чередуются зоны, содержащие один или два дискретных уровня.
It is stated that an electron can be in a state localized at an intercrystallite or twin boundary or stacking fault irrespective of the specific structure of the transition region. It is important that the crystal containing such a boundary must be non-periodic “as a whole.” The one-dimensional model (two abutting Kronig–Penney lattices for which the spectrum of localized states is determined) is considered. The bands containing one or two discrete levels alternate in a complex way in the spectrum.
It is stated that an electron can be in a state localized at an intercrystallite or twin boundary or stacking fault irrespective of the specific structure of the transition region. It is important that the crystal containing such a boundary must be non-periodic “as a whole.” The one-dimensional model (two abutting Kronig–Penney lattices for which the spectrum of localized states is determined) is considered. The bands containing one or two discrete levels alternate in a complex way in the spectrum.
Опис
Теми
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Цитування
Об электронных состояниях, локализованных на межкристаллитных и двойниковых границах / Э.П. Фельдман, В.М. Юрченко // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 875-879. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.