Влияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронция

Abstract

Получена сегнетоэлектрическая полупроводниковая керамика на основе метатитаната бария-стронция с добавкой нитрида бора, изучены ее микроструктура и электрофизические свойства. Определены концентрационные пределы стронция и нитрида бора, в которых керамика является низкоомной и проявляет эффект положительного температурного коэффициента сопротивления при относительно низкой температуре (≈ 60—70 °С). Исследована зависимость электрофизических свойств от химического состава синтезированной керамики.Отримано сегнетоелектричну напівпровідникову кераміку на основі метатитанату барію-стронцію з домішкою нітриду бору, вивчені її мікроструктура та електрофізичні властивості. Досліджено концентраційні межі стронцію та нітриду бору, в яких кераміка є низькоомною і проявляє ефект позитивного температурного коефіцієнта опору при відносно низькій температурі (≈ 60—70 °С).Ferroelectrics-semiconductors based on barium-strontium titanate doped with boron nitride have been synthesized. Microstructure and electrophysical properties of synthesized ceramics have been studied. Concentration ranges of strontium and boron nitride, within which ceramics have low resistivity at room temperature and positive temperature coefficient of resistivity in the temperature range above Т ≈ 60—70 °С, have been determined.