Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
Анотація
Методом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga.
Методом рентгеновского фазового и рентгеноструктурного анализов исследованы отожженные при 800 °С сплавы системы Gd—Si—Ga.
The annealed at 800 °C alloys of the іGd—Si—Ga system have been studied by means of X-Ray powder diffraction.
Методом рентгеновского фазового и рентгеноструктурного анализов исследованы отожженные при 800 °С сплавы системы Gd—Si—Ga.
The annealed at 800 °C alloys of the іGd—Si—Ga system have been studied by means of X-Ray powder diffraction.
Опис
Теми
Неорганическая и физическая химия
Цитування
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.