Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України

Анотація

Методом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga.
Методом рентгеновского фазового и рентгеноструктурного анализов исследованы отожженные при 800 °С сплавы системы Gd—Si—Ga.
The annealed at 800 °C alloys of the іGd—Si—Ga system have been studied by means of X-Ray powder diffraction.

Опис

Теми

Неорганическая и физическая химия

Цитування

Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced