Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

Abstract

Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules.Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул.Методом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6-31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул.