Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію

Abstract

Виявлено особливості в динамічній поведінці дислокацій, які проявляються при самостійній дії рентгенівського випромінювання, а також при комбінованому (рентгенівському і магнітному) впливі на кристали кремнію. Встановлені зміни в мікропластичних характеристиках кристалів кремнію аналізуються з точки зору стимулювання рентгенівською та магнітною дією міждефектних перетворень.Выявлены особенности в динамическом поведении дислокаций, которые проявляются при самостоятельном действии рентгеновского излучения, а также при комбинированном (рентгеновском и магнитном) влиянии на кристаллы кремния. Установленные изменения в микропластических характеристиках кристаллов кремния анализируются с точки зрения стимулирования рентгеновским и магнитным действием междефектных превращений.The dynamic behavior of dislocations under the influence of X-ray radiation and the combined (X-ray + magnetic field) influence on silicon crystals is investigated. The changes in microplastic characteristics of silicon crystals are analyzed under the assumption of interdefect transformations.