Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.