Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Abstract

Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл.Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів.The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors.