Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами

Abstract

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон.Досліджено вплив послідовно з'єднанних потенційних бар'єрів на фізичні процеси, що протікають в p-n-гетеропереході на прикладі одно- і багатобар'єрних структур. Показано, що модифікація гетеропереходу шляхом створення послідовно з'єднанного бар'єру до підкладки і до гетерошару призводять до переводу пасивної паразитної частини підкладки в категорію активної і до її модуляції з двох сторін, а сформований до гетерошару третій бар'єр виключає інжекцію носіїв в базову область і істотно зменшує ємність структури.There have been researched how the consistently connected potential barriers influence on physical processes running in p-n-heterojunction on an example of one- and multibarrier structures. It is shown, that updating of the heterojunction by creation of the consistently connected barrier to a substrate and to heterolayer result in convertion of a passive parasitic part of a substrate to the active category and its modulation from the two-parties. The third barrier generated to heterolayer excludes the injection of carriers to the base area and essentially reduces capacity of structure.