Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.