Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения.
Опис
Теми
Технологические процессы и оборудование
Цитування
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.