Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Наноскопический анализ окисленной поверхности кристаллов SnS₂ указывает на образование наноигл высокой плотности.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, О.С. Литвин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 41-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.