Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
Завантаження...
Файли
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
На основе нанокристаллических пленок кубического политипа карбида кремния, полученных прямым ионным осаждением на подложке из лейкосапфира, разработан интерференционный датчик температуры.
Опис
Теми
Сенсоэлектроника
Цитування
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC / А.В. Лопин, А.В. Семёнов, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 19-22. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.