Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Исследованная двухбарьерная структура, двухсторонне чувствительная в видимой и ближней ИК-области спектра, работоспособна при любой полярности рабочего напряжения.
Опис
Теми
Функциональная микро- и наноэлектроника
Цитування
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах / Д.М. Ёдгорова, Ф.М. Ашрапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 3. — С. 40-47. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.