Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.
Опис
Теми
Функциональная микроэлектроника
Цитування
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники / И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 38-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.