Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.
Опис
Теми
Материалы для микроэлектроники
Цитування
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.