Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Изготовлены модули солнечных элементов с кпд 28,5% при АМ 1,5 на основе многослойных тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Опис
Теми
Энергетическая микроэлектроника
Цитування
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 23-26. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.