Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения.
Опис
Теми
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Цитування
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.