Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
Завантаження...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Методика определения параметров малосигнальной модели транзистора позволяет при минимальном количестве исходных данных получить модель, пригодную для практического применения.
Опис
Теми
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Цитування
Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 49-51. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.