Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением

Abstract

В p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) и в новом ферромагнитном материале p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легированном магнитной примесью (Mn), измерены удельное электросопротивление ρ, коэффициент Холла RH и поперечное магнитосопротивление Δρxx/ρ0 при высоком гидростатическом давлении до P ≤ 9 GPa в области комнатных температур. На зависимостях Δρxx/ρ0(P, H) в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn обнаружен магниторезистивный эффект.У p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω cm) і новому феромагнітному матеріалі p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω cm), легованому магнітною домішкою (Mn), зміряно питомий електроопір ρ, коефіцієнт Хола RH і поперечний магнітоопір Δρxx/ρ0 при високому гідростатичному тиску до P ≤ 9 GPa в області кімнатних температур. На залежностях Δρxx/ρ0(P, H) у p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn виявлено магніторезистивний ефект.In p-InAs (RH = 22.5 cm3/C, ρ = 0.15 Ω·cm) and in a new ferromagnetic material p-CdGeAs2 (RH = 5 cm3/C, ρ = 0.62 Ω⋅cm), alloyed with the magnetic impurity (Mn) the specific electroresistance ρ, Hall coefficient RH and transverse magnetoresistance Δρxx/ρ0 have been measured at high hydrostatic pressure to P ≤ 9 GPa in the region of room temperatures. On dependences Δρxx/ρ0(P, H) for p-InAs:Mn and p-CdGeAs2:Mn the magnetoresistance has been detected.