Гистерезис вольт-амперных характеристик в наноконтактах с манганитами

Abstract

Приведены экспериментальные данные, доказывающие активационный характер гистерезиса вольт-амперных характеристик (ВАХ) в туннельных контактах с манганитами. Полученные результаты объясняются спецификой оксидных барьеров, образованных на поверхности манганитов.Наведено експериментальні дані, що доводять активаційний характер гістерезису вольт-амперних характеристик (ВАХ) в тунельних контактах з манганітами. Отримані результати пояснюються за допомогою специфіки оксидних бар’єрів, які утворюються на поверхні манганітів.Experimental evidence is given for the activation character of the current-voltage characteristics (CVC) hysteresis in tunnel junctions with manganites. The obtained results are explained by specific oxide barriers formed on the surface of manganites