Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии

Abstract

Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света.Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла.The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique.