Особенности трансформации дефектной структуры кристаллов K1-хRbхTiOPO₄ под воздействием давления кислорода и условий выращивания

Abstract

Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0.055−0.065 mm/h грани (100) монокристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄, при которых лучевая прочность имеет максимальные значения, а электропроводность − минимальные. Проведение дополнительного отжига при pO2 = 7·10⁵–10⁶ Pa по режиму: нагрев со скоростью 100−50 K/h до 1273 K (выдержка t = 40−50 h) → охлаждение 0.5−8 K/h до 1173 K и 10−50 K/h − до 303 K способствовало увеличению значений Pmax и σ в 1.3 и 1.7 раза соответственно.Studies on the optimization of growth conditions and regimes of the subsequent heat treatment of (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ crystals for the purpose of improving their structural perfection have been carried out. It is established that there is an optimum range of the linear rates of growth Vgr = 0.055−0.065 mm/h of face (100) of (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ single crystals with which the damage threshold has maximum values, and electrical conductivity − the minimum ones. Additional annealing with pO2 = 7·10⁵–10⁶ Pa according to the scheme: heating at a rate 100−50 K/h to 1273 K (endurance t = 40−50 h) → cooling 0.5−8 K/h to 1173 K and 10−50 K/h to 303 K contributed to an increase in Рmax values by a factor of 1.3 and σ increase by a factor of 1.7.