Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения

Abstract

Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения.We developed and fabricated a pilot run of selective and broad-band new-generation sensors of ultraviolet radiation on the basis of layered heterostructures made of wide-gap AIIBVI semiconductors and their solid solutions. These sensors have no commercial analogs in the world. Their distinctive feature is insensitivity to the visible light without special optical filters for correction of spectral curve. The sensors are intended for monitoring of ultraviolet radiation.