Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.
The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered.
The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered.
Опис
Теми
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
Цитування
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.