Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров

Abstract

Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высоко­чувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.