Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов

Abstract

Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение.