Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Рассмотрены вопросы построения матрицы памяти БИС электронных пластиковых карт на FLOTOX-ячейках. Проведен анализ факторов, влияющих на параметры FLOTOX-ячеек в режимах программирования, циклирования стирание/запись и хранения информации. Приведены результаты исследования FLOTOX-ячеек.
FLOTOX memory matrix structure of smart cards LSI have been considered. Analysis of FLOTOX cell parameters in programming, erase/program cycling and retention modes has been carred out. Experemental parameters of FLOTOX cell have been presented.
FLOTOX memory matrix structure of smart cards LSI have been considered. Analysis of FLOTOX cell parameters in programming, erase/program cycling and retention modes has been carred out. Experemental parameters of FLOTOX cell have been presented.
Опис
Теми
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Цитування
Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт / В.П. Сидоренко, В.Н. Сидорчук, О.Н. Забродина, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.