Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.
Опис
Теми
Технология производства
Цитування
Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.