Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Анотація
Улучшение основных характеристик варикапа достигается с помощью изменения профиля легирующей примеси на металлургической границе p — n перехода.
Опис
Теми
Компоненты для электронной аппаратуры
Цитування
Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода / А.Н. Головяшкин, В.А. Соловьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 28-30. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.