Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

Анотація

Применение современных средств компьютерной обработки изображения позволило создать физическую структурную и кластерную модели толстой серебропалладиевой резистивной пленки с учетом как топологических, так и метрических характеристик. Использование Оже-метода сделало возможным идентифицировать характерные участки микроструктуры толстопленочного резистора (ТПР) по элементному составу с высокой степенью локальности и достоверности. Впервые выявлен бимодальный характер распределения длины проводящих цепочек и длины макросвязей между гранулами проводящей фазы, полученной по кластерной модели, что необходимо для оценки ширины потенциального барьера при проявлении тунельно-барьерного механизма и расстояния между локализованными состояниями для термоактивационного механизма электропроводности ТПР.

Опис

Теми

Материалы электроники

Цитування

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова, П.А. Ушаков, П.Н. Жарков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced