Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe

Abstract

Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше.The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given.