Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами

Abstract

Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетеро­структур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и инжектирующими (Sb) контактами. ВАХ и ВФХ исследованы в области напряжений от 0,01 до 1,00 В. Показано существенное влияние нанесенных нанослоев на механизм переноса носителей заряда через исследуемую структуру.