Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se

Abstract

Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками, розміри нанопор, ступінь нанопористости. Встановлено, що нанонеоднорідності реалізуються завдяки наявності рельєфу поверхні досліджуваних зразків та їх нанопористости.The quantitative parameters of Ge—Se amorphous films nanostructure: heterogeneity sizes, bumps heights and hollows depths of surface relief, diameters of grains or columns, the channels widths, nanopores size, degree of nanoporosity are determined by combination of both the electron microscopy and the atomic force microscopy. As revealed, the nanoinhomogeneities are realized due to the topography of the samples and their nanoporosity.Сочетанием методов электронной и атомно-силовой микроскопии определены количественные параметры наноструктуры аморфных плёнок системы Ge—Se: размеры неоднородностей, высота выступов и глубина впадин рельефа поверхности, диаметры зёрен или столбиков, размеры каналов между столбиками, размеры нанопор, степень нанопористости. Установлено, что нанонеоднородности реализуются благодаря наличию рельефа поверхности исследуемых образцов и их нанопористости.