Эллипсоидальные свойства коэффициентов отражения от мелкоcлоистой периодической структуры полупроводник-диэлектрик в магнитном поле

Abstract

Исследована поляризация электромагнитной волны при отражении от мелкослоистой периодической структуры полупроводник - диэлектрик во внешнем магнитном поле, расположенной на металлической подложке. Показано, что изменение магнитного поля, частоты и угла падения электромагнитной волны приводит к изменению параметров эллипса поляризации, длины и угла наклона осей эллипса по отношению к осям системы координат; специфика компонент тензора диэлектрической проницаемости мелкослоистой структуры приводит к возникновению ряда особенностей в зависимостях разности фаз от параметров структуры. Учет потерь в полупроводнике приводит к сглаживанию зависимостей и отсутствию резкого изменения поляризационных характеристик в зависимости от внешнего магнитного поля и частоты электромагнитной волны.Polarization of an electromagnetic wave in the case of reflection from the fine-stratified periodic structure located on a metal substrate is investigated. The structure was fabricated by periodic alternating dielectric and semiconductor layers and was exposed into an external magnetic field. It has been shown that changing the magnetic field, frequency and incident angle results in change of polarization ellipse parameters, lengths and inclination angles of an ellipse axes in relation to axes of coordinate system. Taking into account losses in the semiconductor layers result in smoothing of dependences and absence of dramatic change of polarizing characteristics depending on an external magnetic field and frequency.Досліджується поляризація електромагнітної хвилі при відбитті від дрібношарової періодичної структури напівпровідник−діелектрик у зовнішньому магнітному полі, яка розташована на металевій підкладці. Показано, що зміна магнітного поля, частоти та кута падіння електромагнітної хвилі призводить до зміни параметрів еліпса поляризації, довжини та кута нахилу вісей еліпсу стосовно вісей системи координат; специфіка компонент тензору діелектричної проникності дрібношарової структури призводить до виникнення ряду особливостей у залежностях різниці фаз від параметрів структури. Врахування втрат у напівпровіднику призводить до згладжування залежностей та відсутності різкої зміни поляризаційних характеристик залежно від зовнішнього магнітного поля та частоти електромагнітної хвилі.