Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs

Abstract

Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами (ТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивления между контактами диодной структуры и сопротивления, включенные последовательно с ТГ, на эффективность генерации на основной частоте и частотах гармоник. Оценен частотный предел работы диодов с ТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с ТГ в диапазоне десятки-сотни гигагерц.The current-voltage characteristics and the generation efficiency diodes with tunnel boundaries (TB) in structures of the «sandwich» based on GaAs are investigated. The effect of resistance between the contacts of the diode structure and the resistance in series with the TG on the efficiency of generation at the fundamental and harmonic frequencies is shown. Frequency limit of the diodes with TB is estimated. The possibility of harmonic generation and frequency multiplication using diodes with TG in the range of tens to hundreds of gigahertz is shown.Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Показано, як впливають опори між контактами діодної структури й опори, включені послідовно з тунельною межою, на ефективність генерації на основній частоті та частотах гармонік. Оцінено частотну границю роботи діодів з тунельними межами. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з тунельною межою в діапазоні десятки-сотні гігагерц.