Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України

Анотація

В гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти – наличие ассиметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
У гетероструктурі р-CdTe-SiO2-Si легко реалізуються необхідні умови для існування оптичної спектральної пам’яті – наявність асиметричних мікропотенційних бар’єрів і глибоких уловлювачів. Час релаксації близько 25 діб. Гетероструктуру можна використовувати як оптоелектронну спектральну комірку пам’яті, здатну не тільки запам’ятовувати сигнали, але й підсумувати їх.
In heterestructure р-CdTe-SiO2-Si it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation which happens about 25 days. Heterestructure it is possible to use as opto – electronic memory capable not only to remember signals, but also to summarize them.

Опис

Теми

Цитування

Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si / Н. Алимов, К. Акбаров, К. Абдуллаев, Х. Дадажонова, С.М. Отажонов, Д. Отажонова, М. Рахмонкулов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 1-2. — С. 96-98. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced