Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель
Завантаження...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Анотація
Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация.
Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація.
By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of impurity complexes formation and their configuration are defined.
Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація.
By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of impurity complexes formation and their configuration are defined.
Опис
Теми
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Цитування
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.