Доменная модель аномального сопротивления плазмы

Завантаження...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України

Анотація

Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя.

Опис

Теми

Релятивистская плазменная элeктрoника

Цитування

Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced