Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Анотація
The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
Опис
Теми
Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction
Цитування
Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.