Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками

Abstract

Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля.By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures, the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field.Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого» компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня Ферми под действием магнитного поля.