Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации

Abstract

Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения подложки при изменении массовой толщины пленок после их плавления и кристаллизации. Определен интервал толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с достаточно узким распределением частиц по размерам.Наведено результати досліджень морфологічної структури острівцевих систем, що формуються в результаті плавлення-кристалізації конденсованих плівок Sn, Bi та Sn-Bi евтектичного складу товщиною 2…70 нм на вуглецевій підкладці. Виявлена немонотонна залежність коефіцієнту заповнення підкладки при зміні масової товщини плівок після їх плавлення та кристалізації. Визначений інтервал товщини плівок, при плавленні яких формуються острівцеві системи з досить вузьким розподілом частинок за розміром.The results of studies of morphological structure of island system formed during melting-crystallization of Sn, Bi and eutectic composition Sn-Bi condensed films of 2…70 nm thickness on the carbon substrate have been presented. Non-monotone dependence of the substrate fill factor has been exposed at the variation of film mass thickness after their melting and crystallization. It was determined the interval of film thicknesses, at melting of which the island systems with the narrow distribution of particles over sizes are formed.