Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Abstract

Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented.Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур.Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.