Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах

Abstract

Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторовПропонується новий метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа методу – цільовий вибір режиму постійного струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо- лосна, підвищується без деградації шумових характеристик. На підтвердження ефективності запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами транзисторів.The new method to provide the stability of lownoise HEMT-based amplifiers is proposed. The method is based on a purposeful choice of the DC regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent characteristic. Stability, first of all that outof-band, rises without degradation of noise characteristic. In support of the offered method efficiency, the results of examination of amplifiers on different transistors are brought