Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке

Abstract

На основании электронно-микроскопических исследований слоистых пленочных систем эвтектического типа Ge-Au построена размерная зависимость температуры кристаллизации жидкой фазы эвтектического состава в контакте с аморфной германиевой подложкой. Измеренный угол смачивания и величина переохлаждения жидкой фазы в системе хорошо коррелируют с эмпирической зависимостью величины переохлаждения при кристаллизации от степени взаимодействия с подложкой.В результаті електронно-мікроскопічних досліджень шаруватих плівкових систем евтектичного типу Ge-Au побудована розмірна залежність температури кристалізації рідкої фази евтектичного складу у контактіз аморфною германієвою підкладкою. Виміряний кут змочування та величина переохолодження рідкої фази в системі добре узгоджуються з емпіричною залежністю величини переохолодження при кристалізації від рівня взаємодії з підкладкою.Size dependence of the crystallization temperature of Ge-Au eutectic in contact with amorphous Ge substrate has been determined on the basis of electron microscopy studies of Ge-Au layered film systems. The values of supercooling upon crystallization and wetting angle of liquid phase in Ge-Au system have been evaluated and compared with empirical dependence available in literature.