Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством

Abstract

Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы, а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см.Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe, CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см.Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered. In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence, conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm.